SiBar(サイバー)サージ吸収素子による高速データ通信回線
及びデータコム装置の保護

2007年12月10日

米国カリフォルニア州メンロパーク−2007年12月10日発表−

タイコ エレクトロニクス レイケム株式会社（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長 江部 秀）は、レイケム登録商標であるSiBar™（サイバー）−サイリスタ素子の新製品群を追加販売したことを発表しました。

これらの新規双方向性過電圧保護素子は、より広範な適用電圧範囲を有する為、高速ADSL/VSL モデム、イーサネット、パワーオーバーイーサネット及び高速データレートの通信装置を過電圧印加により生ずる不具合を保護します。

GR-1089 Core, ITU K.20/K.21, IEC61000-4-5, FCC part 68, and UL60950 等の主要規格に適合するSiBar（サイバー）サイリスタ素子は、工業会標準である50A, 80A and 100A (10/1000μs)の各サージ電流に対し高速・双方向保護が可能です。

当該素子の重要性能としては、6V〜400V なる広帯域適用電圧、12pF の低キャパシタンス、2μA の低リーク電流及び150mA なる最小保持電流値等が挙げられます。また、SMB (JEDEC DO-214AA)及びSMA (JEDECDO-214AC)等の表面実装素子の梱包仕様での供給も可能です。

SiBar サイリスタ素子は、落雷を含む過電流状況から生ずる不具合から敏感な通信及びデータコム機器を保護するのに役立ち、ブレークオーバー電圧を超えるサージにも反応し、シャント素子として機能します。入力電圧がブレークオーバー電圧を超えた場合、SiBar 素子は「フォールドバック」し、素子自身の内部抵抗を低くし、過電圧状況をグランドに導きます。

SiBar 素子は自身を通過する電流値が保持電流定格値以下になるまで自身の内部抵抗値を低く維持し続けます。過電圧状況が解消するとSiBar 素子は、リセットし、高抵抗に復帰する為、通常のシステム作動が可能となります。復帰性機能に加え、SiBar 素子は小型軽量、低消費電力及び精密なフォールドバック電圧遮断特性を有しています。また、素子の持つ低キャパシタンスは、高速データ通信回路にも適合します。

アナログ及びデジタルラインカードを含むxＤＳＬ及びISDN モデム、セットトップボックス、T1 機器、VoIP 装置等の通信ネットワーク機器の保護に有効なSiBar 素子は、RoHS 適合であり、鉛フリー半田及び量産工程に適応可能です。より詳しい情報及び技術情報につきましては、弊社カスタマーサービス（代表：044−900-5110）までご連絡下さい。また、SiBar(サイバー)製品紹介ページも合わせてご参照下さい。

単価：	\17-\46@10k個
サンプル：	即納可能
納期：	受注後8-10 週間